信息摘要(yào):
以我國某新建的半導體晶(jīng)圓廠潔淨室氣態(tài)化學(xué)汙(wū)染物測試結果為例(lì),利用長期在線檢測和現場(chǎng)實測相結(jié)合的方法,完成了從建(jiàn)造到潔淨室空態運行的全過程測試,分析了安裝化學過濾器前後、潔淨室運行前室內氣態化(huà)學汙染狀況的變化情況及環境控製效果。並對比了室外空氣(qì)環境及運行前後汙染物種(zhǒng)類的不同...
作者:天津(jīn)大(dà)學 職 遠 張丁超 劉俊傑 深圳市華淨科技有限公司 夏群豔(yàn)
以我(wǒ)國某新建的半導體晶圓廠潔(jié)淨室氣態化學汙染物測試結果為例,利用長期在線檢測和現場實(shí)測相結合的方法(fǎ),完(wán)成了從建造到潔淨室空態運行的全過程測試,分析了安裝化學過濾器前後、潔(jié)淨室運行前(qián)室內氣態(tài)化學汙染狀況的變化情況及環境控製效果。並對比了室外空氣(qì)環境(jìng)及運行前後汙染物種類的不(bú)同,確定了潔淨室(shì)不同氣態化學汙染(rǎn)物的汙染源信息。測試發現,新風機組(zǔ)的化學過濾器實際去除效率(lǜ)僅僅(jǐn)達到(dào)50%,無法滿足規範中70%的要求。而微電子潔淨室的酸性汙染物主要來自於室外空氣,氨氣濃度較高,來(lái)源於(yú)室外空氣和水泥等建築材料;凝結物的(de)汙(wū)染源主要是室內源,來自室內的裝修(xiū)材料(liào)、清洗劑及生產工藝材料。
隨著信息技術的飛速發展,我國微電子相關的工業(yè)潔淨廠房市場規模(mó)大幅增長,從2011年的400億元(yuán)飛速增加到(dào)2017年的1000億元,同比增長了150%,到2020年,我國微(wēi)電子潔淨室市場(chǎng)規模將超過(guò)1 400億元 。而隨著大規模(mó)集成電路芯片線寬不斷變窄,超低濃度分子級別的氣態化學汙(wū)染物已經成為了影響產業發展和良品率的主要因素 。氣態化學汙染物是指空氣中以氣體或蒸氣形式存(cún)在的分子級汙染物,在微電子潔(jié)淨室環境中,氣態化學汙染物又被稱為氣態分子汙染物(airborne molecular contaminant, AMC),目前最權威的分(fèn)類依據(jù)是國際半導體技術與材(cái)料協(xié)會(SEMI)發(fā)布的電子潔淨室受控環境的標準。該標準將AMC分為4類(lèi):1) 酸類(MA),如SO2、NO2、H2S等酸性汙染物;2) 堿(jiǎn)類(MB),如NH3、胺類等堿性汙染物;3) 凝結物(MC),民用建築中稱同樣的氣(qì)體為氣(qì)態有機汙染物(TVOC),會在產品表麵產生凝結,如甲(jiǎ)苯、苯等有(yǒu)機(jī)物;4) 摻(chān)雜物(wù)(MD),如磷、硼等(děng)汙染(rǎn)物。有的文獻中也提出了第五類:其(qí)他(ME),即臭氧等不在以上(shàng)分類中的其他AMC 。還有一種更細致的分類(lèi)方法是根據國際標準化組織(ISO)發布的ISO 14644-8:2013將潔淨室內(nèi)的AMC分為:酸、堿(jiǎn)、生物毒素、可凝聚物、腐蝕物、摻雜物、有機(jī)物(wù)和氧化物(wù)8類。
當(dāng)AMC存在(zài)時會造成半導體(tǐ)晶圓表麵的汙染、腐蝕連接導線等情況,從而危害產品質量。因此(cǐ),控製微電子潔淨室內AMC對保證產品良品率至關重要。而(ér)環境控製的基礎是確定目標汙染物的(de)狀況(kuàng),如(rú)汙染(rǎn)物的種類、濃度、源頭等信息。隻有確定(dìng)了目標汙染物的狀況及汙染源,才能有的放矢地采取相應的(de)手段對微電子潔淨室內的AMC進行控製,從而保證產品質量。
確定微電子潔淨室內AMC狀況的方法(fǎ)是現場(chǎng)測試,但是由於微(wēi)電子潔淨(jìng)室內AMC的體積分數(shù)極低,可以達到10-9甚至10-12級別,因(yīn)此常規的(de)民用建築室內空氣質量(IAQ)檢測方(fāng)法,如電化學儀器、分光光度法等(děng)已經無法準確(què)測得微電子(zǐ)潔淨室內(nèi)AMC的實際濃度。由於環(huán)境控製屬於廠家保(bǎo)密的技術範圍,而且普通學者也很難(nán)有機會(huì)進入微電子潔淨室內進行測試,因此,目前還鮮有文獻對微電子(zǐ)潔淨室(shì)內的AMC狀況進行從建造到試運行(háng)全過程的現場測試研(yán)究。Muller和Tsao等人分別(bié)對位於美國和中國台灣的微電子潔淨室內(nèi)的AMC進行了測試。但是他們的測試結果存在以下問題:1) 微電子潔淨室AMC的濃度不是恒定的,而是在不斷波動,因(yīn)此他們測得的單一恒定的濃度值並不能(néng)反映微電子(zǐ)潔淨室AMC的真實(shí)狀況;2) 隻(zhī)是測得了(le)潔淨室內AMC濃度值(zhí),缺乏相關環境的對比,無法確定微電子潔淨室環境中的目標汙染物及汙染溯源的(de)信息。同時,目前SEMI及(jí)ISO等組織發布的微電子潔淨室汙染物控製(zhì)規範僅僅對微電子潔淨室內AMC的(de)濃度進行分級,並沒有對目標汙染物、汙染源、濃度限值等作出(chū)規定。所以國內(nèi)對於微(wēi)電子潔(jié)淨室AMC狀況和汙染源(yuán)的(de)研究還存在空白,直接製約(yuē)我國半導體芯片製造產業發展。
本文針對我國某新建(jiàn)微電子潔淨廠房,采用在線監測和現場測試相結合的方法,分析(xī)微(wēi)電子潔淨廠(chǎng)房從建築外圍護結構施工到生產線未運行的”靜態”狀況下,安裝化學過濾器前後AMC的濃度、種類及變化情況。以建造全壽命周期的時間尺度(dù)分析微電子潔淨室建造過程中的AMC動態變(biàn)化(huà)狀況,並與相關(guān)文獻中(zhōng)汙染物種類(lèi)與濃度進行對比,分析微電子潔淨室建材、大氣環境及生產工藝等(děng)源頭汙染物散(sàn)發狀況,得到汙染源特征及目前微電子潔(jié)淨室(shì)環境(jìng)控製係(xì)統的不足(zú),從而指(zhǐ)導微電子潔淨室在(zài)建造過程中有的放矢地采(cǎi)取有(yǒu)效措施,降低AMC的濃度。
1、測試(shì)內容與(yǔ)方法
1.1 項目概況
該(gāi)微電子潔淨(jìng)廠房位於我國長三角(jiǎo)地區,產品為半導體晶圓片(wafer),於(yú)2019年建成,2020年底正式投入生產。測試區域為半導體晶圓廠(chǎng)的電子光刻工藝區潔淨室,開始測試(shì)時生產設備和通風係統(tǒng)都已經安裝完畢,測試(shì)過程中生產設備不運行,通風係統正常(cháng)運行,新風機組內裝有化學過濾器。測試總時長80 d, 包括潔淨(jìng)室內未安裝FFU(風機過濾單元)化(huà)學過濾器及安裝FFU化學過(guò)濾器後的(de)時間段。新風機組包括進風段→粗效過濾段→中效過濾段→一(yī)級加熱(rè)段→一級表冷(lěng)段→淋水段→二級表冷段→二級加熱段→加濕段→風機段→緩衝段→化學過濾段→高效過濾段→出風段,共14個功能段。不(bú)含水洗(xǐ)淨化功能,除了化學過濾器,沒有可以淨化AMC的設備。新風機(jī)組將(jiāng)處理後的新風送入潔淨室,待測區域為潔淨室內獨立的單元,新風通過該(gāi)區(qū)域(yù)上方的FFU係統送入測(cè)試(shì)區域。
1.2 測試內容與方法
本(běn)次(cì)測試采(cǎi)用(yòng)長期在線監測與現場實地采樣測試相結(jié)合的方式。根據(jù)ISO 14644-8:2013 及ISO 10121:2014 的規定,選擇SO2、NO2、NO、H2S4種常見的酸性氣體(tǐ)作為MA的特征汙(wū)染物,選擇NH3作為MB的特征汙染物。潔淨室內的SO2、NO2、NO、NH3、H2S的濃度值采用在線監測的方式收集數據,數(shù)據收(shōu)集時間間隔為1 d。在潔淨室選(xuǎn)取4個平行測(cè)試點位,點(diǎn)位的選擇根據測試區的麵積,參考ISO 14644-8:2013的要求確(què)定,測試方法為GB/T 36306—2018《潔淨室及相關受控環境(jìng)空氣化學(xué)汙染控製指南》中推薦的化學發光法和紫外(wài)熒光法。測(cè)試點位分布如圖1所示。將(jiāng)分析儀裝至待測位置,分析儀連接轉化爐,轉化爐再與采樣泵相連。測試開始時將(jiāng)這3台設備打開,潔淨室內的空(kōng)氣通過采樣泵以0.2 L/min的流量進入轉(zhuǎn)化爐,在轉化爐中經過反應後進入分析儀,得到汙染物(wù)濃度。MC濃度通過手持(chí)式PID分析儀(型號ppbRAE 3000)在每(měi)天同一(yī)時刻(kè)測試記錄,分析儀測得的是TVOC的濃度,單組分(fèn)的MC濃度通過蘇(sū)瑪罐現場采集潔淨室內氣體,然後通過濃縮,利(lì)用氣相(xiàng)色(sè)譜質譜聯動儀(GC-MS)分析得到。本文最終展示的MA與MB的數據是4個測試點位每天的濃度平均值。測試儀器的具體信息如表1所示。
圖1 潔淨室測試點位分布圖
2、測試結果
2.1 安裝FFU化學過濾器前AMC濃度水平分析
在潔淨室安裝FFU化學過濾器之前,從2019年10月下旬開始測試,連續45 d監測(cè)的MA與MB的體積分數如圖(tú)2所示。
圖2 未(wèi)安裝FFU化學過濾器時MA與MB監測結果
從(cóng)圖(tú)2可以看出,微電子(zǐ)潔淨室內AMC濃度波動很(hěn)大,不同種(zhǒng)類的汙染物濃度也有很大的不同。按照(zhào)ISO 14644-8:2013潔淨度表達方法,測(cè)試期間,SO2的平均體積分數為4.69×10-9,即ISO-AMC-6(SO2);NO2的平均體積分數為26.71×10-9,即ISO-AMC-5(NO2);NO的平均體積(jī)分數為27.31×10-9,即(jí)ISO-AMC-5(NO);NH3的平均體(tǐ)積(jī)分數為(wéi)114.83×10-9,即ISO-AMC-4(NH3),NH3潔淨等級最低。在未安裝FFU化學過(guò)濾(lǜ)器的(de)條件下,NO2濃度比SO2濃度(dù)高(gāo)很多,大約是(shì)SO2濃度的(de)7倍,而該城(chéng)市11月(yuè)室外(wài)空氣中SO2和NO2的平均體積分數分別為8×10-9和58×10-9,與筆者所(suǒ)在(zài)課(kè)題組前期對(duì)我國大氣(qì)化學汙染分析得到的NO2為主要關注的化學汙染物的結論一致 。潔淨室內這2種汙染物的濃度與大氣中2種(zhǒng)汙染物濃度(dù)的數值高低規律相吻合。可以判斷,MA的(de)主要來源是室外大(dà)氣。此外,新風機組內(nèi)的(de)化學過濾器對降低大氣(qì)中AMC的濃度有一定的效果,以SO2和NO2濃度來(lái)計算,新(xīn)風機組的(de)化學過濾器的去除效率在50%左右,而我國GB/T 36306—2018中的要求是新風機組化學過濾(lǜ)器淨(jìng)化效率達到70% 。由此可見,實際的化學(xué)過濾器的運(yùn)行(háng)效果並不能達到規範的預(yù)期要求,僅靠(kào)新風機組的化學(xué)過濾器的作用還無法滿足規(guī)範的控製要求。同時,室外空氣中(zhōng)NH3的體積分數大約在(50~100)×10-9之間 ,此時潔淨室內NH3濃度明(míng)顯高於室外空(kōng)氣水平,因此(cǐ)可以斷(duàn)定潔淨室內NH3一方(fāng)麵來自室外空氣,另一(yī)方麵主要來(lái)自於水泥等建築材料。
MC的測試結果如圖3所示,測試期間MC的(de)平均(jun1)質量濃度為2 118.23 μg/m3,證明在(zài)潔淨室內裝修材料中存在(zài)大量VOC源 。
圖3 未安裝FFU化學過濾器時(shí)MC監測結果(guǒ)
2.2 安裝FFU化學過濾器後AMC濃度水平分析
在潔淨(jìng)室安裝FFU化學(xué)過濾器(改性活性炭濾料(liào))之後,從2019年12月中旬開(kāi)始測試,共(gòng)測試31 d。檢測得到的MA(SO2與H2S)與MB的濃度如圖4所示(shì),MC的濃度(dù)如圖5所示。
圖4 安裝FFU化學過濾器後MA與MB監測結果
圖5 安裝FFU化(huà)學過濾器後MC監測結果
由圖4、5可以看出,安裝FFU化學過濾器後各種汙染物的濃(nóng)度都下降了,尤其是MB和MC呈現逐時(shí)快速下降的趨勢,此時MB的潔(jié)淨等級上升至ISO-AMC-5,MC的潔淨等級也上升至ISO-AMC-5,說明FFU化學(xué)過(guò)濾器對於控製AMC有顯著效果(guǒ)。各種汙染物控製效果如表2所示。
2.3 MC汙染源(yuán)分(fèn)析
利(lì)用蘇瑪罐采樣結合GC-MS分析方法獲(huò)得的單(dān)組(zǔ)分MC的測試結果如表3和圖6所示。
圖6 MC體積(jī)分數及比例
由表3和圖6可以看出,在未運行的半導體晶圓廠潔淨室內,MC汙染物主(zhǔ)要是苯類、烷烴及烯(xī)烴。其中苯類占了83%,其來源應該(gāi)是(shì)潔淨室內的(de)裝修材料,如油漆、防水(shuǐ)填料(liào)、黏合劑等 。而烷烴和烯烴由於濃度很低,而且不具備腐蝕性,不考慮(lǜ)它們對潔淨室工藝產品的腐蝕作用。
此外,對比相關的電子潔淨室測試結果,除了表(biǎo)3列舉的汙染物之外,結(jié)合檢出率和汙染物濃(nóng)度(dù)的(de)高低(dī),在(zài)運(yùn)行(háng)的微電子潔淨(jìng)廠房中常見的MC汙染物及其濃(nóng)度如表4所示。
表4列舉的是文獻中提到的半導體晶(jīng)圓廠潔(jié)淨室內常見的MC汙染物,但是在本(běn)次測試中卻未檢測到。說明這些汙染物的來源(yuán)不(bú)是建築材料或大氣,應(yīng)該是潔淨室(shì)”動態”情況下在生產運行(háng)過程(chéng)中產生的。其中,乙醇和異丙醇應該來源於潔淨室內清洗產品所用的清(qīng)洗劑,而含氟的(de)幾種MC應該是生產(chǎn)工藝(yì)中各(gè)種化學試劑產生的汙染物。綜上所述,微電子潔淨室(shì)的MC的汙染源主要(yào)是室內源,來自室(shì)內的裝修材料、清洗劑及生產工藝材料。為了靶向分析MC源頭,應當(dāng)在潔(jié)淨室”動態”情況下按照不同工藝場景采樣測試分析其成分。
3、結(jié)論
1) 半導體晶圓廠潔淨室的MA主要來自(zì)於室外空氣,MB來源於室外空氣和水(shuǐ)泥等建築材料。
2) 潔淨室新(xīn)風機組的化學過濾器對於降低大氣中汙染物對室內的影響有(yǒu)一定的作用,但是效率達不(bú)到(dào)環境控製要求,為了控製室內濃度(dù)達到生產需要(yào),還應(yīng)該安裝針對無機化學氣(qì)體的(de)FFU化(huà)學過濾器。
3) 微電子潔淨室的MC的汙染源主要是室內源,來自室內的裝修材料、清洗劑及生產工藝材料,潔淨室采樣檢測需要重視。
本文引用格式:職遠,張丁超,劉俊傑,等.半導體晶圓廠潔淨室氣態化學汙(wū)染物測試及汙染源分析(xī)[J].暖通空調,2021,51(3):46-50
文(wén)章來源於:暖通空調 公眾號